机译:将FN编程的嵌入式闪存经济高效地集成到0.25μmSiGe:C RF-BiCMOS技术中
机译:采用0.25μmSiGe BiCMOS技术的30 GHz RF-MEMS Dicke开关网络和宽带LNA
机译:面向未来的重点:毫米波射频功率应用的紧密材料组合:InP HBT SiGe BiCMOS异质晶圆级集成
机译:MEMS模块集成到SiGe BiCMOS技术中,用于嵌入式系统应用
机译:使用SiGe HBT BICMOS技术的高性能内存系统
机译:使用对象链接和嵌入从旧式系统集成数据 技术
机译:采用0.13μmsiGe:C-BiCmOs技术集成LDmOs晶体管,用于高频应用
机译:基于mEms的功率mEms应用硅基灰度技术的开发与优化